APTM20AM04FG Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Характеристики
Упаковка / блок | SP-6 |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
Время спада | 116 ns |
Время нарастания | 64 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Id - непрерывный ток утечки | 372 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Типичное время задержки выключения | 88 ns |
Типичное время задержки при включении | 32 ns |