Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
C2M0080120D МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

C2M0080120D МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

Производитель
Cree, Inc.

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1363028

C2M0080120D МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаCree, Inc.
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Размер фабричной упаковки600
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
ТехнологияSiC
Pd - рассеивание мощности208 W
Время спада21 ns
Время нарастания34 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
Id - непрерывный ток утечки31.6 A
Vgs - напряжение затвор-исток- 5 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.1 V
Qg - заряд затвора94 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.9 S
Типичное время задержки выключения23.2 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel