C2M0280120D МОП-транзистор SIC МОП-транзистор 1200V RDS ON 280 mOhm
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363030
МОП-транзистор SIC МОП-транзистор 1200V RDS ON 280 mOhm
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Торговая марка | Cree, Inc. |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | Z-FET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Время спада | 9.9 ns |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 10 V to + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V |
| Qg - заряд затвора | 5.6 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.8 S |
| Типичное время задержки выключения | 10.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.2 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |