Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
CAS300M12BM2 Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

CAS300M12BM2 Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module

Производитель
Cree, Inc.

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1354841

CAS300M12BM2 Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module

Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module

Характеристики

Диапазон рабочих температур-
Упаковка / блокModule
Торговая маркаCree, Inc.
Вид монтажаScrew
УпаковкаBulk
ПродуктPower Semiconductor Modules
ТипH-Bridge MOSFET Modules
Рабочее напряжение питания-
Выходной ток-
Vf - прямое напряжение-
Vr - обратное напряжение-
КонфигурацияHalf Bridge
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5 mOhms
Отпирающий ток управления - Igt-
Максимальный ток удержания Ih-
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
Id - непрерывный ток утечки300 A
Типичная величина задержки-