Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
CGH40006P РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 13dB GaN HEMT купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

CGH40006P РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 13dB GaN HEMT

Производитель
Cree, Inc.

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1363078

CGH40006P РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 13dB GaN HEMT

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 13dB GaN HEMT

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Диапазон рабочих температур-
Упаковка / блок440109
Торговая маркаCree, Inc.
Усиление13 dB
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаTube
Минимальная рабочая температура- 40 C
Класс-
ТехнологияGaN SiC
Pd - рассеивание мощности-
Средства разработкиCGH40006P-TB
Выходная мощность9 W
Рабочая частота2 GHz to 6 GHz
КонфигурацияSingle
Применение-
Rds Вкл - сопротивление сток-исток-
NF - коэффициент шумов-
P1dB - точка сжатия-
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
Id - непрерывный ток утечки0.75 A
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток- 3 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.-
Тип транзистораHEMT
Vds - напряжение пробоя затвор-исток- 10 V to + 2 V
Напряжение отсечки затвор-исток-
Максимальное напряжение сток-затвор-