CGHV60040D РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 40W GaN 50Volt
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363109
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 40W GaN 50Volt
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | - |
|---|---|
| Диапазон рабочих температур | - |
| Упаковка / блок | Bare Die |
| Торговая марка | Cree, Inc. |
| Усиление | 18 dB |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Gel Pack |
| Минимальная рабочая температура | - |
| Класс | - |
| Технология | GaN SiC |
| Pd - рассеивание мощности | - |
| Средства разработки | - |
| Выходная мощность | 40 W |
| Рабочая частота | 6 GHz |
| Конфигурация | Dual |
| Применение | - |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | - |
| NF - коэффициент шумов | - |
| P1dB - точка сжатия | - |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.2 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | - |
| Тип транзистора | HEMT |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - |
| Максимальное напряжение сток-затвор | - |