Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:273) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
CGHV96050F2 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ. купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Москва      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

CGHV96050F2 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.

Производитель
Cree, Inc.

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1363113

CGHV96050F2 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Диапазон рабочих температур- 40 C to + 150 C
Упаковка / блок440210
Торговая маркаCree, Inc.
Усиление10 dB
Вид монтажаScrew
УпаковкаTray
Минимальная рабочая температура- 40 C
Класс-
ТехнологияGaN SiC
Pd - рассеивание мощности-
Средства разработкиCGHV96050F2-TB
Выходная мощность50 W
Рабочая частота8.4 GHz to 9.6 GHz
КонфигурацияSingle
Применение-
Rds Вкл - сопротивление сток-исток-
NF - коэффициент шумов-
P1dB - точка сжатия-
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки6 A
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.3 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.-
Тип транзистораHEMT
Vds - напряжение пробоя затвор-исток3 V
Напряжение отсечки затвор-исток- 10 V to + 2 V
Максимальное напряжение сток-затвор-