CMF20120D МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363174
МОП-транзистор ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 135 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Торговая марка | Cree, Inc. |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Время спада | 24 ns |
| Время нарастания | 38 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 90.8 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.3 S, 6.8 S |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |