MKI100-12F8 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | E3-Pack |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Bulk |
Серия | MKI100 |
Размер фабричной упаковки | 5 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Pd - рассеивание мощности | 640 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 125 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |