Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
T1G2028536-FL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

T1G2028536-FL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN

Производитель
TriQuint (Qorvo)

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1387152

T1G2028536-FL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 275 C
Торговая маркаTriQuint (Qorvo)
Усиление20.8 dB
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаTray
СерияT1G
Размер фабричной упаковки25
Другие названия товара №1111394
ТехнологияGaN SiC
Pd - рассеивание мощности288 W
Выходная мощность260 W
Рабочая частота2 GHz
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток36 V
Id - непрерывный ток утечки24 A
Тип транзистораHEMT
Vds - напряжение пробоя затвор-исток145 V
Максимальное напряжение сток-затвор48 V