Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
tpn1110enh,l1q МОП-транзистор UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

tpn1110enh,l1q МОП-транзистор UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

Производитель
Toshiba

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1388005

tpn1110enh,l1q МОП-транзистор UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

МОП-транзистор UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSON-8
Торговая маркаToshiba
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности39 W
Время спада4.5 ns
Время нарастания5.2 ns
КонфигурацияTriple Common Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток96 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки13 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Qg - заряд затвора7 nC
Типичное время задержки выключения19 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel