Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
tpn4r712md,l1q МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

tpn4r712md,l1q МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Производитель
Toshiba

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1388018

tpn4r712md,l1q МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Характеристики

Упаковка / блокTSON-Advance-8
Торговая маркаToshiba
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Количество каналов1 Channel
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности42 W
Время спада145 ns
Время нарастания11 ns
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.8 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 20 V
Id - непрерывный ток утечки- 36 A
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Qg - заряд затвора65 nC
Типичное время задержки выключения443 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Канальный режимEnhancement