VS-GB200TS60NPBF Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 209 Amp 600 Volt Half-Bridge
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1388712
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 209 Amp 600 Volt Half-Bridge
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | INT-A-PAK |
| Торговая марка | Vishay |
| Вид монтажа | Screw |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | GB200TS60 |
| Размер фабричной упаковки | 15 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Коммерческое обозначение | HEXFRED |
| Другие названия товара № | GB200TS60NPBF |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 209 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |