Карбидокремниевые МОП-транзисторы на базе технологии Trench с пониженным на 50 % сопротивлением Rohm Semiconductor

Компания Rohm Semiconductor выпустила 3-е поколение фирменных карбидокремниевых МОП-транзисторов, диодов Шоттки и SiC-модулей. Новые решения с технологией Trench имеют на 50 % пониженное сопротивление открытого состояния и на 35 % уменьшенную входную ёмкость.

 

В новых транзисторах малые потери сочетаются с возможностью быстрого переключения. Это позволяет за счёт повышения частоты переключения сократить размеры периферийных компонентов, таких как катушки и конденсаторы. Также карбидокремниевые транзисторы способствуют повышению КПД преобразующих схем.

 

Серия МОП-транзисторов SCT3080KL на 1200 В выпускается в корпусе TO-247. Версии на 650 В в таком же корпусе имеют сопротивление открытого состояния от 17 до 120 мОм, версии на 1200 В – от 22 до 160 мОм. Rohm также предлагает версию МОП-транзистора автомобильного назначения, основанную на фирменной планарной серии 2-го поколения.

 

Карбидокремниевые диоды Шоттки 3-го поколения обладают малыми значениями прямого напряжения и обратного тока утечки в рабочем диапазоне температуры. Также данные компоненты имеют повышенную устойчивость к броскам тока, что актуально в схемах питания.

 

В дополнение к недавно анонсированным компонентам в корпусе TO220AC с рабочими характеристиками 650 В (6, 8 и 10 А), Rohm выпускает версии в корпусах D2PAK и TO220FM с меньшим током: 2 и 4 А. Карбидокремниевые диоды обладают коротким временем обратного восстановления в сравнении с кремниевыми вариантами. Данная особенность полезна в схемах с высокой скоростью переключения.

 

Также Rohm представила комбинированные SiC-модули для схем преобразователей, включающие как карбидокремниевые МОП-транзисторы, так и диоды.