МОП-транзисторы Toshiba с технологией суперперехода и улучшенными рабочими характеристиками

Как и DTMOS IV, техпроцесс DTMOS V основан на одиночном эпитаксиальном процессе с использованием глубокого щелевого травления с последующим эпитаксиальным выращиванием структуры p-типа. Процесс заполнения щелей приводит к уменьшению шага элементов и снижению сопротивления открытого состояния Rds(on) в сравнении с использованием более традиционных планарных процессов.

 

Сопротивление Rds(on) транзистора DPAK TK290P60Y (V) на 17 % меньше сопротивления транзистора предыдущего поколения TK12P60W (IV). Улучшения по электромагнитному излучению достигнуто за счёт оптимального соотношения характеристик и помех переключения.

 

Новые транзисторы найдут применение в импульсных блоках питания, цепях коррекции коэффициента мощности и схемах светодиодного освещения. Первые 50 транзисторов будут рассчитаны на напряжение 600 и 650 В. Компоненты будут выпускаться в корпусах DPAK (TO-252) и TO-220SIS (смарт-изоляция). Максимальное сопротивление открытого состояния: от 0,29 до 0,56 Ом.