2N2896 Биполярные транзисторы - BJT NPN Ampl/Switch
Биполярные транзисторы - BJT NPN Ampl/Switch
Характеристики
Упаковка / блок | TO-18 |
---|---|
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2N2896 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Другие названия товара № | BK |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 90 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |