2N3054 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Power Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1356329
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Power Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-66 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | 2N3054 |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 55 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 90 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |