2N3497 Биполярные транзисторы - BJT PNP Ampl/Switch
Биполярные транзисторы - BJT PNP Ampl/Switch
Характеристики
Упаковка / блок | TO-18 |
---|---|
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2N3497 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Другие названия товара № | BK |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.35 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |