2N3504 Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS
Характеристики
Упаковка / блок | TO-18 |
---|---|
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2N3504 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Другие названия товара № | BK |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 250 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 150 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |