2N3716 Биполярные транзисторы - BJT NPN GP Power
Биполярные транзисторы - BJT NPN GP Power
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 2N3716 |
Размер фабричной упаковки | 20 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 3 A, 2 V |