2N3764 Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1356476
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-46-3 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 900 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 1 A at 1.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 1 A at 1.5 V |