2N3790 Биполярные транзисторы - BJT PNP GP Power
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1356486
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP Power
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | 2N3790 |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 150000 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 3 A, 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 |