2N3799 Биполярные транзисторы - BJT Low Noise Ampl
Биполярные транзисторы - BJT Low Noise Ampl
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-18 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2N3799 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BK |
Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |