2N5191G Биполярные транзисторы - BJT 4A 60V 40W NPN
Биполярные транзисторы - BJT 4A 60V 40W NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2N5191 |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |