2N5210BU Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2N5210 |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 179 mg |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |