2N5884 Биполярные транзисторы - BJT PNP Power SW
Биполярные транзисторы - BJT PNP Power SW
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 2N5884 |
Размер фабричной упаковки | 20 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 50 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 4 at 25 A, 4 V |