2N6318 Биполярные транзисторы - BJT . .
Биполярные транзисторы - BJT . .
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-66-2 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 2N6318 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 90 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at 500 mA at 4 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 2.5 A at 4 V |