2N6433 Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-18 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Box |
Серия | 2N6433 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |