2N6517BU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357074
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-92 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | 2N6517 |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | 2N6517BU_NL |
| Вес изделия | 179 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |