2N6666 Биполярные транзисторы - BJT PNP Pwr Darlington
Биполярные транзисторы - BJT PNP Pwr Darlington
Характеристики
Упаковка / блок | TO-220 |
---|---|
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Box |
Серия | 2N6666 |
Размер фабричной упаковки | 400 |
Pd - рассеивание мощности | 65 W |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 20 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |