2N6730 Биполярные транзисторы - BJT POWER TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357127
Биполярные транзисторы - BJT POWER TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-237 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | 2N6730 |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 500 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 250 mA, 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |