2sa1162-y,lf Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |