2sa1162s-y,lf Биполярные транзисторы - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Биполярные транзисторы - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Характеристики
Упаковка / блок | SC-59 |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |