2sa1163-bl(te85l,f Биполярные транзисторы - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
Биполярные транзисторы - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-346 |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 120 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.3 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 |