2sa1182-y,lf Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357345
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Характеристики
| Упаковка / блок | TO-236MOD |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 35 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |