2sa1362-gr(t5l,f,t Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Small-Signal Transistors
Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Small-Signal Transistors
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | S-Mini |
Торговая марка | Toshiba |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 100 mA at 1 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 100 mA at 1 V |