2SA1416S-TD-E Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 100V
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 100V
Характеристики
Упаковка / блок | PCP-3 |
---|---|
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | 2SA1416 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 140 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 280 |