2SA2029T2LR Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP GEN. PURPOSE HFE RANK 'R'
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357464
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP GEN. PURPOSE HFE RANK 'R'
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | VMT-3 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | 2SA2029 |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 0.15 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 0.15 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |