2sa2120-o(q) Биполярные транзисторы - BJT Transistor PNP 200V 12A
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357481
Биполярные транзисторы - BJT Transistor PNP 200V 12A
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3P |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 200000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 25 MHz (Typ) |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 at 1 A at 5 V |