2sa2154mfv-gr(tpl3 Биполярные транзисторы - BJT -150mA -50V
Биполярные транзисторы - BJT -150mA -50V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | VESM |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz (Min) |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |