2SA2169-TL-E Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 10A 50V
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 10A 50V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | 2SA2169 |
Размер фабричной упаковки | 700 |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 290 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 13 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |