2SB1143T Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Характеристики
Упаковка / блок | TO-126ML |
---|---|
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2SB1143 |
Размер фабричной упаковки | 200 |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |