2SB1182TLQ Биполярные транзисторы - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357562
Биполярные транзисторы - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | 2SB1182 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 32 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |