2SB1215S-E Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V
Характеристики
Упаковка / блок | TO-251 |
---|---|
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | 2SB1215 |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |