2SB1216S-E Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 100V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357611
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 100V
Характеристики
| Упаковка / блок | TO-251 |
|---|---|
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | 2SB1216 |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |