Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
2sc2655-y(te6,f,m) Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

2sc2655-y(te6,f,m) Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0

Производитель
Toshiba

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1357671

2sc2655-y(te6,f,m) Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0

Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-92 MOD
Торговая маркаToshiba
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Размер фабричной упаковки6000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности900 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240