2sc3265-y,lf Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357685
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Характеристики
| Упаковка / блок | TO-236MOD |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |