Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
2sc3303-y(t6l1,nq) Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

2sc3303-y(t6l1,nq) Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V

Производитель
Toshiba

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1357686

2sc3303-y(t6l1,nq) Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V

Биполярные транзисторы - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSC-63
Торговая маркаToshiba
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки2000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности20 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240