2SC3649S-TD-H Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Характеристики
Торговая марка | ON Semiconductor |
---|---|
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Reel |
Серия | 2SC3649 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |