Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
2SC3649T-TD-E Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

2SC3649T-TD-E Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1357719

2SC3649T-TD-E Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1.5A 160V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-89
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Серия2SC3649
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности1.5 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.- 160 V, 160 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)- 180 V, 180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)- 6 V, 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер- 200 mV, 130 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz